参数资料

型号:IPD60R3K3C6

功能描述:MOSFET N-CH 650V 1.7A

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

相关型号
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • IPD60R3K3C6ATMA1
  • 86890
  • INFINEON
  • 最新
  • *
  • 全新原装正品 欢迎进店咨询 18766039713.. 
  • 立即询价
  • IPD60R3K3C6
  • 20000
  • INFINEON
  • 2013
  • TO-252
  • ★100%原装★★100%低价★★100%满意★ 
  • 立即询价
  • 甄芯网

    0755-83665813

  • IPD60R3K3C6
  • 10000
  • INFINEON
  • 11+PBF
  • TO252
  • 百分之百原装进口现货 
  • 立即询价